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J-GLOBAL ID：200903007171677939

マルチビーム半導体レーザーアレイ

Inventor： 太田 猛史
Applicant, Patent owner： 富士ゼロツクス株式会社
Agent (1)： 小田 富士雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992137694
Publication number (International publication number)：1993152683
Application date： Apr. 30, 1992
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 光学的クロストークがなく、レーザー発振しきい値が低く、サーマルクロストークが小さく、しかも最大出力の大きいマルチビーム半導体レーザーアレイを提供すること【構成】 基板と、この基板上に設けられた互いに独立して駆動可能な複数の半導体レーザー素子と、この半導体レーザー素子を形成するキャビティの第1の端面に配設された、前記半導体レーザー素子の活性の材料層より広いバンドギャップを有しかつ電気的に励起されない第1のウィンドー領域と、この第1のウィンドー領域にコーティングされた、光学的反射率を低下させる低反射率膜と、前記半導体レーザー素子を形成するキャビティの第2の端面に配設された、光学的反射率を増加させる高反射率膜とを備えている。

Claim (excerpt)：

基板と、この基板上に設けられ、互いに独立して駆動可能な複数の半導体レーザー素子と、この半導体レーザー素子を形成するキャビティの第1の端面に配設された、前記半導体レーザー素子の活性の材料層より広いバンドギャップを有しかつ電気的に励起されない第1のウィンドー領域と、この第1のウィンドー領域にコーティングされた、光学的反射率を低下させる低反射率膜と、前記半導体レーザー素子を形成するキャビティの第2の端面に配設された、光学的反射率を増加させる高反射率膜とを備えてなるマルチビーム半導体レーザーアレイ。