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J-GLOBAL ID：200903007172708498

発光素子及びその製造方法

Inventor： 吉田 浩
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 逢坂 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997332904
Publication number (International publication number)：1999168256
Application date： Dec. 03, 1997
Publication date： Jun. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体レーザの端面劣化を抑制し、高出力かつ信頼性の高い半導体レーザ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 少なくとも一方の光出射端面から連続した端面部(I)と、この端面部に対して前記光出射端面とは反対側に存在する第2部位(II)とが、共振器長方向に順次配されており、第1部位(I)の層構成と第2部位(II)の層構成とが縦方向に互いに異なっている、半導体レーザ及びその製造方法。

Claim (excerpt)：

少なくとも一方の光出射端面から連続した第1部位と、この第1部位に対し前記光出射端面とは反対側に存在する第2部位とが、活性層上において共振器長方向に順次配され、前記第1部位の層構成と前記第2部位の層構成とが素子厚方向において互いに異なっている、発光素子。