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J-GLOBAL ID：200903007173172575

Si/SiGe光検知器用の(110)シリコン基板上の垂直側壁の製造方法

Inventor： ダグラス ジェームス トゥイート ,  チョン ジャン リー ,  ジェー シェン マー ,  シェン テン スー
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007111008
Publication number (International publication number)：2007300095
Application date： Apr. 19, 2007
Publication date： Nov. 15, 2007
Summary：

【課題】シリコン基板に一体化され、量子効率が改良された光検知器(例えば近赤外の光検知器)を得る。【解決手段】Si/SiGe光検知器用のシリコン(110)基板上の垂直側壁の製造方法には、下層のシリコンウェハー表面に対してシリコン(110)面が平行であるシリコン(110)層を準備する工程を含んでいる。そして、シリコン(110)層面に平行なマスク側壁によってシリコン(110)層をマスキングし、そのマスクされていない部分を除去するためにシリコン(110)層をエッチングし、垂直シリコン(111)側壁を有するパターン形成されたシリコン(110)層を残す。その後、マスクを除去し、パターン形成されたシリコン(110)層上にSiGe含有層を成長させ、光検知器を製造する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

下層のシリコンウェハー表面に対してシリコン(110)面が平行であるシリコン(110)層を準備する工程と、 シリコン(111)層面に平行なマスク側壁によって上記シリコン(110)層をマスキングする工程と、 上記シリコン(110)層をエッチングする工程であって、そのマスクされていない部分を除去し、パターン形成されたシリコン(110)層を残す工程と、 マスクを除去する工程と、 パターン形成されたシリコン(110)層上にSiGe含有層を成長させる工程と、 光検知器を製造する工程と、を含んでいるSi/SiGe光検知器用のシリコン(110)基板上の垂直側壁の製造方法。

IPC (1)：

H01L 31/10

FI (1)：

H01L31/10 A

F-Term (7)：

5F049MB02 ,  5F049NA01 ,  5F049NB10 ,  5F049PA03 ,  5F049QA02 ,  5F049SS02 ,  5F049WA01