レーザアニール方法及びレーザアニール装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋敬四郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997006862
Publication number (International publication number)：1998209069
Application date： Jan. 17, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】光学装置の劣化を抑制することが可能なレーザアニール方法及びレーザアニール装置を提供する。【解決手段】表面に半導体膜が形成された基板の該表面の一部に、該表面において第1の方向に長いビームスポット形状を有するレーザ光を照射しながら、基板を、その表面に平行であってかつ第1の方向と交わる第2の方向に移動させる。基板を、その表面に垂直な軸を中心としてある角度回転させる。基板の表面のうち、前のレーザ光照射工程でレーザ光の照射された領域以外の領域の一部にレーザ光を照射しながら、基板を、その表面に平行であってかつ第1の方向と交わる第3の方向に移動させる。

Claim (excerpt)：

表面に半導体膜が形成された基板の該表面の一部に、該表面において第1の方向に長いビームスポット形状を有するレーザ光を照射しながら、前記基板を、その表面に平行であってかつ前記第1の方向と交わる第2の方向に移動させる第1のレーザ光照射工程と、前記基板を、その表面に垂直な軸を中心としてある角度回転させる工程と、前記基板の表面のうち、前記第1のレーザ光照射工程でレーザ光の照射された領域以外の領域の一部に前記レーザ光を照射しながら、前記基板を、その表面に平行であってかつ前記第1の方向と交わる第3の方向に移動させる第2のレーザ光照射工程とを有するレーザアニール方法。

IPC (2)：

H01L 21/268 , H01L 21/20

FI (3)：

H01L 21/268 F , H01L 21/268 G , H01L 21/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体デバイスのレーザー処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-309826 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社
レーザーアニール方法およびレーザー光の照射方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-037705 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭63-011989

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