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J-GLOBAL ID：200903007209945479
FETスイッチ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992302392
Publication number (International publication number)：1994152361
Application date： Nov. 12, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高周波信号の挿入損失を低減して、伝送効率を高める。【構成】 高周波信号を入力する信号入力端子T1 と信号出力端子T2 (T3)との間にトランジスタQ1 (Q3 )を介装する。信号入力端子T1 をインダクタLSを介して接地する。トランジスタQ1 ,Q3 と基板との間の容量と、インダクタLSとで共振回路を形成し、そのインピーダンスを所定周波数で最大になるようインダクタLSのインダクタンス値を選定する。
Claim (excerpt)：
第1の信号端子と第2の信号端子との間に、トランジスタを介装してなるFET スイッチにおいて、前記第1の信号端子を、インダクタを介して接地してあることを特徴とするFET スイッチ。
IPC (2)：
H03K 17/687
, H03K 17/693
