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J-GLOBAL ID：200903007241607879

電界効果トランジスタ

Inventor： 藁科 卓
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993124414
Publication number (International publication number)：1994334181
Application date： May. 26, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 チャネル長の製造誤差等による設計値とのずれがそのまま電流値の変動となることがない電界効果トランジスタを提供する。【構成】 フィールド領域11内にチャネル領域12を挟んでソース領域13とドレイン領域14が相対して設けられ、チャネル領域12上にゲート電極16が設けられた電界効果トランジスタにおいて、フィールド領域11を、ゲート電極16の両側に延びるフィールド長さの全域に渡ってゲート電極16に沿うフィールド幅が所定の関数により変化する形状に形成し、所定の関数は、ソース領域13からドレイン領域14へと向かう方向の基準点からの距離に応じて変化する。

Claim (excerpt)：

フィールド領域内にチャネル領域を挟んでソース領域とドレイン領域が相対して設けられ、前記チャネル領域上にゲート電極が設けられた電界効果トランジスタにおいて、前記フィールド領域を、前記ゲート電極の両側に延びるフィールド長さの全域に渡って前記ゲート電極に沿うフィールド幅が所定の関数により変化する形状に形成し、前記所定の関数は、前記ソース領域から前記ドレイン領域へと向かう方向の基準点からの距離に応じて変化することを特徴とする電界効果トランジスタ。