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J-GLOBAL ID：200903007257243010
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
吉田 精孝 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991073037
Publication number (International publication number)：1993299653
Application date： Apr. 05, 1991
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 アクティブマトリクス型液晶パネルディスプレイを構成する半導体装置の製造工程を簡略化する。【構成】 アクティブマトリクス型液晶パネルディスプレイを構成する画素部スイッチング素子としての逆スタガー型アモルファスシリコンTFT20と、周辺駆動回路としてのコプレーナ型ポリシリコンTFT19とにおいて、各TFTのゲート電極11及び10を同一の製造工程で形成し、また、逆スタガー型アモルファスシリコンTFT20のゲート絶縁膜8b及びコプレーナ型ポリシリコンTFT19の層間絶縁膜8aを同一の製造工程で形成することにより、その分、製造工程を簡略化する。
Claim (excerpt)：
アクティブマトリクス型液晶パネルディスプレイを構成する画素部スイッチング素子及び周辺駆動回路をそれぞれ逆スタガー型アモルファスシリコン薄膜トランジスタ及びコプレーナ型ポリシリコン薄膜トランジスタで構成した半導体装置において、ゲート電極、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜のうちの少なくとも1つを同一の製造工程で形成した逆スタガー型アモルファスシリコン薄膜トランジスタ及びコプレーナ型ポリシリコン薄膜トランジスタを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
, H01L 21/336
H01L 29/78 311 A
, H01L 29/78 311 Y
