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J-GLOBAL ID：200903007262067777

スパッタリングターゲット

Inventor： 光井 彰 ,  佐藤 一夫
Applicant, Patent owner： 旭硝子株式会社
Agent (1)： 泉名 謙治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993289203
Publication number (International publication number)：1995138745
Application date： Nov. 18, 1993
Publication date： May. 30, 1995
Summary：

【要約】【構成】ガリウムを含む酸化亜鉛粉末を真空あるいは不活性ガス雰囲気中で最高温度1000°C〜1200°Cでホットプレスすることによって作製される、密度5.5g/cm3 を超え、かつ、体積比抵抗が1 mΩcmより低いことを特徴とするガリウムを含む酸化亜鉛焼結体からなるスパッタリングターゲット。【効果】比較的低温で高密度かつ低抵抗の透明導電膜用の酸化亜鉛ベースの焼結体スパッタリングターゲットが得られる。

Claim (excerpt)：

ガリウムを含む酸化亜鉛粉末を真空あるいは不活性ガス雰囲気中で最高温度1000°C〜1200°Cでホットプレスすることによって作製される、密度5.5g/cm3 を超え、かつ、体積比抵抗が1 mΩcmより低いことを特徴とするガリウムを含む酸化亜鉛焼結体からなるスパッタリングターゲット。