プラズマアッシング方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北村欣一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001122121
Publication number (International publication number)：2001313287
Application date： Jan. 10, 1989
Publication date： Nov. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】表層の硬化変質したレジスト膜をアッシングすること、基板にダメージを与えることなくレジスト膜をアッシングすること。【解決手段】真空処理室(4)内にレジスト膜が塗布された基板(1)を設け、真空処理室に、真空排気口と、基板を加熱する加熱手段及びプラズマ発生装置(9)を備えた反応性ガスの導入口とを設け、基板のレジスト膜をプラズマによりアッシングして除去する方法に於いて、基板の前面にプラズマが発生し得る間隔を存して対向した前方電極(13)を設けると共に基板の背面にプラズマが発生しない狭い間隔を存して対向する後方電極(16)を設け、両電極の一方を高周波電源に接続すると共に他方をアースに接続してレジスト膜の表層をエッチングしたのち、両電極をアースに接続すると共に該発生装置を作動させて該プラズマにより基板上のレジスト膜をアッシングする。

Claim (excerpt)：

1つの真空処理室内にレジスト膜が塗布された基板を設け、該真空処理室に真空排気口と、該基板を加熱する加熱手段及びプラズマ発生装置を備えた反応性ガス導入口とを設け、該基板のレジスト膜を該プラズマによりアッシングして除去する方法において、該基板の前面にプラズマが発生し得る間隔を存して対向した前方電極を設けると共に該基板の背面にプラズマが発生しない狭い間隔を存して対向する後方電極を設け、後方電極を高周波電源に接続し、レジスト膜の表層をエッチングする工程を終えた後、プラズマ発生装置を作動させて該反応性ガスのプラズマにより基板上のレジスト膜をマグネトロン放電を用いずアッシングすることを特徴とするプラズマアッシング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , G03F 7/42 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/42 , H01L 21/302 H , H01L 21/30 572

F-Term (24)：

2H096AA25 , 2H096LA07 , 5F004AA06 , 5F004BA03 , 5F004BA09 , 5F004BB05 , 5F004BB11 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BB26 , 5F004BB28 , 5F004BB29 , 5F004BD01 , 5F004CA04 , 5F004CA05 , 5F004CA06 , 5F004DA01 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB26 , 5F004DB27 , 5F004EA28 , 5F046MA12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開昭62-202521
特開昭63-114210
特開昭62-136573

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Cited by examiner (5)

特開昭62-202521
特開昭63-114210
特開昭62-136573

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