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J-GLOBAL ID：200903007274741775

ガスセンサ

Inventor： 安藤 正美 ,  須藤 誠一 ,  鈴木 貴弘 ,  土田 敬之
Applicant, Patent owner： 東陶機器株式会社
Agent (1)： 下田 容一郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991327168
Publication number (International publication number)：1993142179
Application date： Nov. 15, 1991
Publication date： Jun. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ガスセンサのセンサ素子感度を高めることなく低濃度まで検出可能にする。【構成】 ガスセンサ10はガス分離膜12上に電極13及び金属酸化物半導体膜14を形成してセンサ素子11を構成し、このセンサ素子11を円筒状緻密体15先端部に取り付け、この緻密体15を支持体17に取り付けて、センサ素子11の電極から電極リード線18,19を引出して端子20,21に接続し、ヒータ22でセンサ素子11を加熱した状態で、センサ素子11を支持している緻密体15の後端部側から吸引してガス分離膜12側から金属酸化物半導体膜14に被検知ガスを強制的に透過させる。それによって、ガスの種類に応じて金属酸化物半導体膜14の抵抗値が変化するので、電極13,13間の抵抗値を測定することによってガスを検知できる。

Claim (excerpt)：

絶縁基体上に電極及び金属酸化物半導体膜を形成して、この金属酸化物半導体膜に対するガスの吸脱着による抵抗値の変化を利用したガスセンサにおいて、前記絶縁基体は被検知ガス中から検知対象ガスを分離するガス分離膜で形成されていることを特徴とするガスセンサ。