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J-GLOBAL ID：200903007283067009

埋込配線層の形成方法及び噴流式スピンエッチング装置

Inventor： 北田 秀樹 ,  清水 紀嘉 ,  大塚 信幸
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 眞鍋 潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000176546
Publication number (International publication number)：2001358142
Application date： Jun. 13, 2000
Publication date： Dec. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】 埋込配線層の形成方法及び噴流式スピンエッチング装置に関し、チップ収率を低下させることなく、基板周辺でのメッキ層の膜剥がれを防止する。【解決手段】 絶縁層2に配線層用溝3及びビアホール4の少なくとも一方を形成したのちシード層6を形成し、次いで、シード層6上にメッキ層7を形成したのちメッキ層7の一部を化学的エッチングにより除去する。

Claim (excerpt)：

絶縁層に配線層用溝及びビアホールの少なくとも一方を形成する工程、シード層を形成する工程、前記シード層上にメッキ層を形成する工程、及び、前記メッキ層の一部を化学的エッチングにより除去する工程を有することを特徴とする埋込配線層の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/3205 ,  C23F 1/08 103 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/768

FI (4)：

C23F 1/08 103 ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 A

F-Term (33)：

4K057WA07 ,  4K057WA11 ,  4K057WB04 ,  4K057WE02 ,  4K057WE07 ,  4K057WM03 ,  4K057WN01 ,  5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033WW02 ,  5F033XX00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 低温銅除去方法および銅除去システム、ならびに半導体ウエハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-260535   Applicant：シャープ株式会社, シャープ・マイクロエレクトロニクス・テクノロジー・インコーポレイテッド
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-279393   Applicant：日本電気株式会社
• 噴流式ウェットエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-175735   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-163046   Applicant：株式会社東芝