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J-GLOBAL ID：200903007283861988
強誘電体磁器組成物
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
下田 容一郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991133648
Publication number (International publication number)：1994150716
Application date： May. 09, 1991
Publication date： May. 31, 1994
Summary：
【要約】【構成】 PZTまたはPZT系にSnO2,Nb2O5,SrO,BaO等の添加物を加えてなり、その結晶系が正方晶系とされ、Zr/(Zr+Ti)で表わされるZr比が相境界のZr比より少なくとも0.5モルパーセント小さく設定されたことを特徴とする強誘電体磁器組成物。【効果】 本発明の強誘電体磁器組成物は、正方晶系なので強電界に対し良好な比例関係を保って大きな歪を生じ、雰囲気の温度変化にもあまり影響されず、且つ、耐久性良好である。
Claim (excerpt)：
PZTまたはPZT系にSnO2,Nb2O5,SrO,BaO等の添加物を加えてなり、その結晶系が正方晶系とされ、Zr/(Zr+Ti)で表わされるZr比が相境界のZr比より少なくとも0.5モルパーセント小さく設定されたことを特徴とする強誘電体磁器組成物。
IPC (3)：
H01B 3/12 301
, C04B 35/49
, H01L 41/187
