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J-GLOBAL ID:200903007289379223
磁気光学素子の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
倉内 基弘 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992312638
Publication number (International publication number):1994077081
Application date: Oct. 29, 1992
Publication date: Mar. 18, 1994
Summary:
【要約】【目的】 回折損失及び吸収損失のいずれも小さい磁気光学素子の製造法を提供する。【構成】 非磁性単結晶基板上に、LPE法により100μm以上の厚さにBi置換稀土類鉄ガーネット膜を作成した磁気光学素子を、800〜1200°Cにおいて酸素含有雰囲気中で熱処理する。
Claim (excerpt):
非磁性単結晶基板上に、LPE法により100μm以上の厚さにBi置換稀土類鉄ガーネット膜を作成した磁気光学素子から、非磁性単結晶基板を除去した後、800〜1200°Cにおいて酸素含有雰囲気中で熱処理することを特徴とする磁気光学素子の製造方法。
IPC (6):
H01F 41/28
, C30B 19/00
, C30B 29/28
, C30B 33/02
, G02F 1/09 501
, H01F 10/24
Patent cited by the Patent: