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J-GLOBAL ID：200903007297436007

窒化物系化合物半導体素子の製造方法及び半導体発光素子

Inventor： 豊田 達憲 ,  庄野 博文 ,  高木 宏典
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997128155
Publication number (International publication number)：1998321908
Application date： May. 19, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】本発明は、紫外光から赤色系まで発光可能な発光素子や起電力の高い受光素子などに利用可能な半導体素子の製造方法などに係わり、特に窒化物系化合物半導体ウエハーをチップ状に切断する製造方法などに関する。【解決手段】本発明は、窒化物系化合物半導体層が積層形成された半導体ウエハから窒化物系化合物半導体素子を製造する方法であり、半導体ウエハをレーザ照射により第1の溝を形成する工程と、ダイサー及び/又はスクライバーの刃先を第1の溝に沿って合わせ駆動させ半導体ウエハを分離する工程を有する窒化物系化合物半導体の製造方法である。

Claim (excerpt)：

窒化物系化合物半導体が積層形成された半導体ウエハから窒化物系化合物半導体素子を製造する方法であって、前記半導体ウエハをレーザ照射により第1の溝を形成する工程と、ダイサー及び/又はスクライバーの刃先を前記第1の溝に沿って合わせ駆動させる工程と、を有することを特徴とする窒化物系化合物半導体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  B23K 26/00 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  B23K 26/00 A ,  H01S 3/18