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J-GLOBAL ID：200903007310685569

半導体装置の製造方法

Inventor： 飯島 晋平 ,  峰 利之
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991202716
Publication number (International publication number)：1993047918
Application date： Aug. 13, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】溝に流動性ガラスを充填して素子分離領域を形成する方法において、流動性ガラスがフッ酸にエッチングされやすいために、充填した後の工程で膜減りが生じ埋込形状が不良となる問題を回避する方法を提供する。【構成】溝に流動性ガラスを充填した直後に熱窒化処理を施し、充填したガラスの表面に窒化層を形成した。この時に能動領域のSi基板表面に形成される薄い窒化膜をそのまま残してゲート絶縁膜として用い、トランジスターを構成した。【効果】溝に充填したガラスが後の工程でエッチングされることが無くなり良好な素子分離特性を得ることができ、素子の集積度を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

能動素子が形成される複数の能動素子領域と、該複数の能動素子領域を各々電気的に絶縁分離するための素子分離領域とを半導体基板表面に形成してなる半導体装置の製造方法において、該素子分離領域の表面に窒化層を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/318