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J-GLOBAL ID：200903007314095693

半導体レーザ

Inventor： 高岡 圭児 ,  古山 英人
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991219938
Publication number (International publication number)：1993063290
Application date： Aug. 30, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 InGaAsP等の多元混晶を障壁層として用いた歪量子井戸構造においても、良好な素子特性を安定して得ることのできる半導体レーザを提供すること。【構成】 n型InP基板10上に、n型InPクラッド層11,n型InGaAsP光導波層12,歪量子井戸活性層13,p型InGaAsP光導波層14及びn型InPクラッド層15を形成し、且つ歪量子井戸活性層13として、InP基板10と格子定数がほぼ等しいInGaAs障壁層131 と、InP基板10と格子定数が異なるInGaAs井戸層132 とを、交互に積層した歪量子井戸構造の半導体レーザにおいて、井戸層132 と障壁層131 との間に、InP境界層133 をそれぞれ挿入したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板上に、該基板結晶と格子定数の異なる結晶からなる井戸層を、該基板結晶と格子定数がほぼ等しい障壁層で挟んだ量子井戸活性層を設けた量子井戸構造の半導体レーザにおいて、前記井戸層上に、前記障壁層よりも前記基板結晶に近い格子定数を有する境界層を形成してなることを特徴とする半導体レーザ。