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J-GLOBAL ID：200903007318883904

酸化亜鉛系薄膜の製造方法

Inventor： 寺内 正治 ,  和田 隆博
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 東島 隆治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993160213
Publication number (International publication number)：1994345426
Application date： Jun. 04, 1993
Publication date： Dec. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】 抵抗が所望の値に制御され、かつ透明なZnO薄膜を提供する。【構成】 基板上に酸化亜鉛薄膜を堆積後、III族元素の薄膜を堆積することで酸化亜鉛薄膜中へIII族元素を導入する。また、基板上にIII族元素の薄膜を堆積後、酸化亜鉛薄膜を堆積し、熱処理することで、酸化亜鉛薄膜中へIII族元素を導入する。

Claim (excerpt)：

酸化亜鉛薄膜を堆積する前にIII族元素を堆積する工程を含むことを特徴とする酸化亜鉛系薄膜の製造方法。

IPC (4)：

C01G 9/02 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/316 ,  H01L 31/04