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J-GLOBAL ID：200903007323289107

スパッタリング装置

Inventor： 善家 昌伸
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992310476
Publication number (International publication number)：1994158301
Application date： Nov. 19, 1992
Publication date： Jun. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 カバレージの良いスパッタ膜を形成し、かつコリメータからのパーティクルの発生を少なくする。【構成】 ターゲット3とシリコン基板5との間に、抵抗加熱法により所望の温度に加熱されたコリメータ4を配置する。コリメータ4の輻射熱のため、シリコン基板5上のスパッタ粒子がマイグレートしやすくなり、カバレージの良好な膜を形成できる。またコリメータ4が加熱されているため、スパッタリング粒子が付着するのを防止でき、パーティクルの発生が抑えられる。

Claim (excerpt)：

コリメータを有し、ターゲットからのスパッタ粒子をシリコン基板上に付着させて成膜を行うスパッタリング装置であって、コリメータは、ターゲットからシリコン基板に向けて飛来するスパッタ粒子の飛行方向を単一に規制する空孔を有し、かつ所定の温度に加熱され、その輻射熱でシリコン基板の表面を加熱するものであることを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特公昭60-001397
  
• 特開平3-215663
  
• 薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-169678   Applicant：ソニー株式会社