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J-GLOBAL ID：200903007323326630

面発光型半導体レーザ装置

Inventor： 野田 憲秀
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 佐藤 祐介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999135051
Publication number (International publication number)：2000332353
Application date： May. 14, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 光導波領域の大きさの制御を容易にするとともに、長寿命化を図る。【解決手段】 基板11の一表面に第1のDBR反射層12と、活性層13と、第2のDBR反射層14とが形成され、その第2のDBR反射層14の表面および基板11の裏面には電極層15、16がそれぞれ設けられている。活性層13およびDBR反射層12、14には、光導波領域21の外部の領域22に周期構造が設けられている。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該基板上に設けられた、活性層が2つの反射層によって挟まれ、ダブルヘテロ接合が形成されるサンドイッチ構造の半導体積層構造と、該活性層の光の導波領域の周囲に形成された周期構造とを備えることを特徴とする面発光型半導体レーザ装置。

F-Term (11)：

5F073AA43 ,  5F073AA65 ,  5F073AB17 ,  5F073BA01 ,  5F073BA04 ,  5F073BA07 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA21 ,  5F073EA28