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J-GLOBAL ID：200903007324407065

高分子固体電解質

Inventor： 原 靖 ,  奥園 修一
Applicant, Patent owner： 東ソー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997339768
Publication number (International publication number)：1999176237
Application date： Dec. 10, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：

【要約】【構成】本願発明の目的は、高いイオン導電性を有すると共に、電気化学素子を形成する材料を劣化させず、電気化学素子の薄型化、積層化が可能な液漏れのない固体電解質を提供することにある。【解決手段】ポリビニルイミダゾリニウム化合物及び金属塩からなることを特徴とする高分子固体電解質であり、ポリビニルイミダゾリニウム化合物が以下の化式1で表される化合物である高分子固体電解質。【化1】(nは2以上の整数を、R1 、R2 は炭素数1〜4のアルキル基を、R3 は水素又は炭素数1〜4のアルキル基を示す)、さらに、ポリビニルイミダゾリニウムの対イオンが塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオンであり、金属塩が、LiClO4 、LiPF6 、LiBF4 、AlCl3 ,AlBr3 又はAlI3である高分子固体電解質。

Claim (excerpt)：

ポリビニルイミダゾリニウム化合物及び金属塩からなることを特徴とする高分子固体電解質。

IPC (6)：

H01B 1/12 ,  C08K 3/24 ,  C08L 39/04 ,  H01M 8/02 ,  H01M 10/40 ,  C08F126/06

FI (6)：

H01B 1/12 Z ,  C08K 3/24 ,  C08L 39/04 ,  H01M 8/02 P ,  H01M 10/40 B ,  C08F126/06