Pat

J-GLOBAL ID：200903007324803718

半導体素子

Inventor： 上本 勉
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993053469
Publication number (International publication number)：1994104484
Application date： Mar. 15, 1993
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 色調の劣化、電流の大きさによる色の変化が無く発光効率、外部量子効率の格段に向上した光半導体素子及び低抵抗なオーミック電極を提供することを目的とする。【構成】 第1の発明による半導体素子は、炭素を構成元素の一つとするIV族半導体層でpn接合を形成し、この半導体層にVIa 族元素をドーピングしたことを特徴とするものである。また、第2の発明による半導体用電極は、VIa 族元素がドーピングされた炭素を構成元素の一つとするn型導電型のIV族半導体層とを下地としてこれにオーミック接合する金属層からなることを特徴とするものである。

Claim (excerpt)：

炭素を構成元素の一つとする第1導電型の半導体層と、この第1導電型の半導体層上に形成され炭素を構成元素の一つとする第2導電型の半導体層とを具備し、前記第1導電型及び第2導電型の半導体層のうち少なくとも一方の前記半導体層にVIa 族元素がドーピングされていることを特徴とする半導体素子。

IPC (5)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/148 ,  H01L 31/108

FI (2)：

H01L 27/14 B ,  H01L 31/10 C