ウェハ処理装置およびウェハ処理方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人第一国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005028804
Publication number (International publication number)：2006216822
Application date： Feb. 04, 2005
Publication date： Aug. 17, 2006
Summary：

【課題】ウェハ面内で均一なCD分布を得ることのできるウェハ処理装置を提供する。【解決手段】ウェハ処理装置において、ウェハステージ8に付与した、独立した少なくとも2系統の温調手段31,32,48,49と、半導体ウェハとウェハステージ間に冷却ガスを導入する複数個の冷却ガス圧力調節手段25,39,46,24と、ヒータ22の投入電力調節手段と、制御用コンピュータ37とを備え、温調剤の温度または冷却ガス圧力もしくはヒータの投入電力の少なくともいずれかの条件を変更することにより得られる任意の複数の温度条件で処理した結果として得られる線幅寸法を入力し、線幅寸法により任意のエッチング線幅寸法を得るための温調剤の温度または冷却ガス圧力または前記ヒータの投入電力の少なくともいずれかを演算し、制御する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体ウェハの温度を、ウェハステージに設けた温調剤循環手段で循環するか、前記半導体ウェハと前記ウェハステージ間の冷却ガス圧力を調節するか、前記ウェハステージに設けたヒータの投入電力を調節するかの少なくともいずれかにより調節し、プラズマを用いて半導体ウェハにエッチング処理を施すウェハ処理装置であって、前記ウェハ面内の線幅(CD)分布を任意に設定できるようウェハ面内の温度分布を設定する際、線幅と温度のデータから線幅と温度の関係式を求め、該関係式からウェハの温度分布を設定し、設定したウェハ温度分布を実現するよう前記いずれかの温度調節機能を動作させるように構成したことを特徴とするウェハ処理装置。

IPC (1)：

H01L 21/306

FI (2)：

H01L21/302 101G , H01L21/302 101R

F-Term (12)：

5F004AA01 , 5F004BA14 , 5F004BB07 , 5F004BB22 , 5F004BB25 , 5F004BB26 , 5F004BB28 , 5F004BB29 , 5F004BC03 , 5F004CA02 , 5F004CA04 , 5F004CA08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

ドライエッチング処理方法及びドライエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-293596 Applicant：ソニー株式会社

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