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J-GLOBAL ID：200903007326966240

高純度ナノスケールカーボンチューブ含有炭素質材料の製造法

Inventor： 横道 泰典 ,  中岡 春雪 ,  松井 丈雄
Applicant, Patent owner： 大阪瓦斯株式会社
Agent (7)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  小原 健志 ,  斎藤 健治 ,  藤井 淳 ,  関 仁士 ,  中野 睦子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003178424
Publication number (International publication number)：2005015243
Application date： Jun. 23, 2003
Publication date： Jan. 20, 2005
Summary：

【課題】溶媒その他の化学薬品を使用することなく、簡単な操作で高純度ナノスケールカーボンチューブ含有炭素質材料を製造でき、ナノスケールカーボンチューブの破壊又は変性のおそれの少ない製造法を提供する。【解決手段】(i)原料として使用するナノスケールカーボンチューブ含有炭素質材料と、静電気を帯びた基材とを接触又は接近させて、該原料ナノスケールカーボンチューブ含有炭素質材料中に含まれている不純物を基材表面に付着させる工程、及び、(ii)該基材表面に付着しなかった高純度ナノスケールカーボンチューブ含有炭素質材料を回収する工程を含むことを特徴とする高純度ナノスケールカーボンチューブ含有炭素質材料の製造法。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

(i)原料として使用するナノスケールカーボンチューブ含有炭素質材料と、静電気を帯びた基材とを接触又は接近させて、該原料ナノスケールカーボンチューブ含有炭素質材料中に含まれている不純物を基材表面に付着させる工程、及び (ii)該基材表面に付着しなかった高純度ナノスケールカーボンチューブ含有炭素質材料を回収する工程 を含むことを特徴とする高純度ナノスケールカーボンチューブ含有炭素質材料の製造法。

IPC (2)：

C01B31/02 ,  B03C7/00

FI (3)：

C01B31/02 101F ,  C01B31/02 101Z ,  B03C7/00

F-Term (23)：

4D054GA01 ,  4D054GA10 ,  4D054GB09 ,  4G146AA07 ,  4G146AA11 ,  4G146AA12 ,  4G146AA13 ,  4G146AA16 ,  4G146AB01 ,  4G146AB10 ,  4G146AC01B ,  4G146AC02B ,  4G146AC12B ,  4G146AC17B ,  4G146AD02 ,  4G146AD11 ,  4G146AD17 ,  4G146AD29 ,  4G146BA04 ,  4G146CA02 ,  4G146CA03 ,  4G146CA17 ,  4G146DA08