Pat

J-GLOBAL ID：200903007331009539

プラズマCVD装置

Inventor： 亀田 賢治 ,  檜山 真
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社
Agent (1)： 油井 透 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998233029
Publication number (International publication number)：2000068208
Application date： Aug. 19, 1998
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：

【要約】【課題】 プラズマCVD装置において、反応容器内の堆積膜の膜厚増加に伴う剥離を抑制する。【解決手段】 プラズマCVD装置の反応容器内の部品11の表面あらさを10μm〜100μmの範囲に設定し、膜厚増加に伴う膜剥離を抑制する。

Claim (excerpt)：

反応容器内の部品の表面あらさを10μm〜100μmの範囲に設定したことを特徴とするプラズマCVD装置。

F-Term (7)：

5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045BB10 ,  5F045BB15 ,  5F045EC05 ,  5F045EH04 ,  5F045EM09