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J-GLOBAL ID:200903007339865159

発光ダイオード装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 杉谷 勉
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992188609
Publication number (International publication number):1994005927
Application date: Jun. 22, 1992
Publication date: Jan. 14, 1994
Summary:
【要約】【目的】 金属線の断線を防止する発光ダイオード装置を提供する。【構成】 基板1の凹部4には、その両端部の外部電極5a、5bの各々に接続されたリード電極6a、6bがそれぞれ形成された底部2、3が形成されている。リード電極6aには発光ダイオード素子7がダイボンディングされ、その発光ダイオード素子7に接続された金属線11は、リード電極6bよりも高い位置まで略垂直に立設されている。また、上段の底部3に形成されたリード電極6bよりも低い位置まで満たした絶縁性樹脂層12で発光ダイオード素子7を完全に封止し、導電性樹脂層13で金属線11の導出部11aとリード電極6bとを併せて封止する。これにより、発光ダイオード素子7とリード電極6bとは導電性樹脂13で電気的に接続され、金属線11の断線が防止される。
Claim (excerpt):
絶縁性の基板に、2段の階段状の底部を形成した凹部が設けられ、各段の底部には、前記基板の両端部に形成された一対の外部電極の各々に接続されたリード電極がそれぞれ形成され、下段の底部に形成された前記リード電極には発光ダイオード素子が接合され、前記発光ダイオード素子から導出された金属線と、上段の底部に形成された前記リード電極とが電気的に接続され、前記基板の凹部が透光性樹脂によって封止された発光ダイオード装置において、前記発光ダイオード素子から導出された金属線を、前記上段の底部に形成されたリード電極よりも高い位置まで略垂直に立設し、前記上段の底部に形成されたリード電極よりも低い位置まで満たした絶縁性樹脂層で前記発光ダイオード素子を完全に封止し、少なくとも前記金属線の導出部と前記上段の底部に形成されたリード電極とを併せて封止する導電性樹脂層を前記絶縁性樹脂層の上部に形成したことを特徴とする発光ダイオード装置。

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