単結晶の製造装置および製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：森道雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994100190
Publication number (International publication number)：1995277887
Application date： May. 13, 1994
Publication date： Oct. 24, 1995
Summary：

【要約】【目的】結晶中への汚染物の混入が回避でき、結晶中の酸素濃度の精密制御性を損なうことなく、酸化膜耐圧特性に優れた単結晶の引上げ成長を可能とする単結晶の製造装置および製造方法を提供する。【構成】(1) 単結晶の引上げ域の周囲を囲撓した円筒または筒状の耐熱断熱性部材7が、この部材7の上端と前記金属チャンバー6の天井部6aとの間に、金属チャンバー6上方から供給される不活性ガスをこの部材7の内側と外側を下方に流れる不活性ガス32とに分岐する間隔h1 を持って、金属チャンバー6の天井部6aまたは側壁6b上部から支持されている単結晶製造装置。(2) 部材7の上端と金属チャンバー6の天井部6aとの間に不活性ガスの流通が可能な間隔h1 を設けて、金属チャンバー6上方から供給される不活性ガス30をその部材7の内側と外側を下方に流れる不活性ガス32とに分岐させたのち、再び合流させる単結晶の製造方法。

Claim (excerpt)：

成長させるべき単結晶の原料溶融液を収容する坩堝と、この溶融液を加熱する手段と、坩堝内の溶融液の表面に種結晶を接触させて単結晶を成長させる引上げ手段と、前記各部材を収容する金属チャンバーとを具備する単結晶製造装置において、単結晶の引上げ域の周囲を囲繞する円筒または上方から下方に向かうに従って縮径された筒状の耐熱断熱性部材が、この部材の上端と前記金属チャンバーの天井部との間に、金属チャンバー上方から供給される不活性ガスをこの部材の内側を下方に流れる不活性ガスとこの部材の外側を下方に流れる不活性ガスとに分岐することが可能な間隔を持って、金属チャンバーの天井部または側壁上部から支持されていることを特徴とする単結晶製造装置。

IPC (4)：

C30B 27/02 , C30B 15/14 , C30B 29/06 502 , H01L 21/208

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平1-100086
特開平4-202085
特開昭64-072984

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