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J-GLOBAL ID：200903007373205850

ポジ型レジスト組成物

Inventor： 新田 和行 ,  佐藤 和史 ,  坂井 与日 ,  山崎 晃義 ,  中山 寿昌
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 阿形 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994309140
Publication number (International publication number)：1996166670
Application date： Dec. 13, 1994
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：

【要約】【構成】 (A)放射線照射により酸を発生する化合物と、(B)酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解度が増大する合成樹脂成分とを必須成分として含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物に対し、(C)酸捕捉剤として、カルボニル基の結合位置に隣接する位置に少なくとも1個のヒドロキシル基をもつベンゾフェノン化合物を、1.0〜10重量%の割合で配合して成るポジ型レジスト組成物である。【効果】 化学増幅型であって、高解像性を有し、かつ露光余裕度に優れる上、定在波の影響が少なく、プロファイル形状の優れたレジストパターンを形成することができる。

Claim (excerpt)：

(A)放射線照射により酸を発生する化合物と、(B)酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解度が増大する合成樹脂成分とを必須成分として含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物に対し、(C)酸捕捉剤として、カルボニル基の結合位置に隣接する位置に少なくとも1個のヒドロキシル基をもつベンゾフェノン化合物を、1.0〜10重量%の割合で配合したことを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (4)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027