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J-GLOBAL ID：200903007386820570

炭化ケイ素繊維の製造方法

Inventor： 市川 宏 ,  武田 道夫 ,  坂本 淳一 ,  佐伯 明徳
Applicant, Patent owner： 日本カーボン株式会社
Agent (1)： 伊東 辰雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996149781
Publication number (International publication number)：1997041225
Application date： May. 22, 1996
Publication date： Feb. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】 従来の方法ではC/Si原子比が1.31以上の炭化ケイ素繊維しか得られなかった。本発明は、C/Si原子比が1.00〜1.10であり、特に高温において高強度、高弾性率であると共に、高温での耐酸化性、クリープ性に優れた炭化ケイ素繊維の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 有機ケイ素系ポリマーの前駆体繊維を不融化した不融化繊維を、昇温しながら一次焼成して一次焼成繊維を得る工程と、さらに該一次焼成繊維を二次焼成して炭化ケイ素繊維を得る工程を具備する炭化ケイ素繊維の製造方法であって、前記一次焼成を、水素ガス、希釈水素ガスおよび不活性ガスから選ばれる少なくとも1以上の雰囲気で行うが、少なくとも600〜800°Cの温度範囲では水素ガスまたは希釈水素ガス雰囲気で行い、かつ、前記二次焼成を、希釈塩化水素ガスまたは希釈ハロゲンガス雰囲気下、1500〜2200°Cで行うことにより、炭素とケイ素の原子比C/Siが1.00〜1.10の炭化ケイ素繊維を製造する方法。

Claim (excerpt)：

有機ケイ素系ポリマーの前駆体繊維を不融化した不融化繊維を、昇温しながら一次焼成して一次焼成繊維を得る工程と、さらに該一次焼成繊維を二次焼成して炭化ケイ素繊維を得る工程を具備する炭化ケイ素繊維の製造方法であって、前記一次焼成を、水素ガス、希釈水素ガスおよび不活性ガスから選ばれる少なくとも1以上の雰囲気で行うが、少なくとも600〜800°Cの温度範囲では水素ガスまたは希釈水素ガス雰囲気で行い、かつ、前記二次焼成を、希釈塩化水素ガスまたは希釈ハロゲンガス雰囲気下、1500〜2200°Cで行うことにより、炭素とケイ素の原子比C/Siが1.00〜1.10の炭化ケイ素繊維を製造する方法。