Pat

J-GLOBAL ID：200903007391934371

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

Inventor： 大谷 尚子 ,  片山 俊治
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994219108
Publication number (International publication number)：1996083855
Application date： Sep. 13, 1994
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：

【要約】【目的】 メモリトランジスタの数および面積を増加させることなく多値メモリ化を図り、記憶情報量を増加させた不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。【構成】 メモリトランジスタのゲート電極部20aを2つのフローティングゲート電極22a、22bおよびコントロールゲート電極24をほぼ垂直に積層した2層フローティングゲート構造とし、第1フローティングゲート電極22aに電子が注入されている状態“1”、第1および第2フローティングゲート電極22a、22bのそれぞれに電子が注入されている状態“0”、および第1および第2フローティングゲート電極22a、22bのそれぞれから電子が引き抜かれた状態“2”が存在する多値メモリとした。

Claim (excerpt)：

電気的に情報の書き込みおよび消去が可能なメモリトランジスタが複数、半導体基板上に形成された不揮発性半導体記憶装置であって、上記各メモリトランジスタが、上記半導体基板の主面にこの半導体基板と反対の導電型の領域として形成されたソース電極部およびドレイン電極部と、上記半導体基板上の上記ソース電極部およびドレイン電極部の間に形成された2つのフローティングゲート電極およびコントロールゲート電極が積層された2層フローティングゲート構造を有するゲート電極部と、このゲート電極部横に形成された消去ゲート電極部と、からなる不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭48-073086
  
• 特開昭60-010679
  
• 特開昭48-073086
  
• 特開昭60-010679