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J-GLOBAL ID：200903007397016927

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： 中村 修二 ,  岩佐 成人
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993070874
Publication number (International publication number)：1994260681
Application date： Mar. 05, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：

【要約】【目的】 p-n接合の窒化ガリウム系化合物半導体を用い、発光素子の発光出力を向上させる。【構成】 n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、p型ドーパントをドープしたn型In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層(但し、Xは0<X<1の範囲である。)を発光層として具備し、n型In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層の電子キャリア濃度が1×10<SP>17</SP>/cm<SP>3</SP>〜5×10<SP>21</SP>/cm<SP>3</SP>の範囲である。

Claim (excerpt)：

n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、p型ドーパントがドープされたn型In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層(但し、Xは0<X<1の範囲である。)を発光層として具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。