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J-GLOBAL ID：200903007423521627

薄膜型エレクトロルミネッセンス素子

Inventor： 木戸 房吉
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992058332
Publication number (International publication number)：1993266979
Application date： Mar. 16, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】向上した端面発光の光出力特性を有し、したがって優れた光プリンタ用光源として利用できるTFELを提供する。【構成】発光層(4)の両面に誘電体層(3a,3b)を有する薄膜型エレクトロルミネッセンス素子である。発光層(4)は、ZnSを母材とする蛍光体材料で形成され、誘電体層(3a,3b)は、SiOx Ny (ここで、yは、1以上、およびx/yは0.5ないし1.4)からなる非晶質誘電体で形成されている。

Claim (excerpt)：

発光層の両面に誘電体層を有する薄膜型エレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光層は、ZnSを母材とする蛍光体材料で形成され、前記誘電体層は、SiOx Ny (ここで、yは、1以上、およびx/yは0.5ないし1.4)からなる非晶質誘電体で形成されたことを特徴とする薄膜型エレクトロミネセンス素子。

IPC (4)：

H05B 33/22 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455