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J-GLOBAL ID：200903007428947975

半導体装置の製造方法

Inventor：
稲吉 由理恵

About 稲吉 由理恵


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 尾身 祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992078493
Publication number (International publication number)：1993243183
Application date： Feb. 28, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体ウェハ上に電解メッキを施す際にメッキ膜厚の面内均一性を良くする。【構成】 ウェハホルダー1は銅製のホルダー素片1a、1b、1cと、これらのホルダー素片を電気的に分離するリング状の絶縁体1dとによって構成される。定電流源9a、9b、9cにより、各ホルダー素片に独立に電流を供給しつつ電解メッキを行う。
Claim (excerpt)：
1乃至複数個のリング状絶縁体と、前記リング状絶縁体により互いに電気的に分離されている複数個の導電性のホルダー素片とから構成されるウェハホルダーにウェハを載置し、各ホルダー素片にそれぞれ独立に電流を供給しながら電解メッキを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/288 ,  C25D 7/12 ,  C25D 17/06 ,  C25D 21/00 ,  C25D 3/48
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平3-076827
  • 特開昭64-061515
  • 特開平3-294528
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