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J-GLOBAL ID：200903007435500382

圧電体、強誘電体薄膜素子の製造方法

Inventor： 宮下 悟
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992258400
Publication number (International publication number)：1994112550
Application date： Sep. 28, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【構成】 金属アルコキシドを主原料とするゾルゲル法による強誘電体薄膜の製造において、原料を加水分解したゾルに可溶性有機高分子を添加し、均一に混合して塗布、仮焼成により多孔質ゲル薄膜を形成した後、更に原料を加水分解したゾルを塗布することを特徴とする圧電体、強誘電体薄膜素子の製造方法。【効果】 厚膜化が容易で、高い圧電ひずみ定数と高いヤング率を持つ圧電素子を歩留まりよく提供できた。容易なプロセスで作製することができるため、低コストで微細化も可能である。

Claim (excerpt)：

金属アルコキシドを主原料とするゾルゲル法による強誘電体薄膜の製造において、原料を加水分解したゾルに可溶性有機高分子を添加し、均一に混合して塗布、仮焼成により多孔質ゲル薄膜を形成した後、更に原料を加水分解したゾルを塗布することを特徴とする圧電体、強誘電体薄膜素子の製造方法。

IPC (5)：

H01L 41/24 ,  B01J 19/00 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  C04B 38/00 304

FI (2)：

H01L 41/22 A ,  B41J 3/04 103 A