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J-GLOBAL ID：200903007436616023

III族窒化物結晶およびIII族窒化物の結晶成長方法および結晶成長装置および半導体デバイスおよびシステム

Inventor：
岩田 浩和

About 岩田 浩和

, 
皿山 正二

About 皿山 正二


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003376768
Publication number (International publication number)：2004168650
Application date： Nov. 06, 2003
Publication date： Jun. 17, 2004
Summary：
【課題】 混合融液表面近傍において、混合融液表面を覆う結晶集合体の形成を抑制し、安定してIII族窒化物の結晶成長を行なう。【解決手段】 反応容器11内で、アルカリ金属とIII族金属を含む物質とが混合融液25を形成し、該混合融液25と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるときに、混合融液25の表面近傍のIII族窒化物の過飽和度の増加速度を制御し、III族窒化物24の結晶成長を行う。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
反応容器内で、アルカリ金属とIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物の結晶成長方法において、前記混合融液の表面近傍のIII族窒化物の過飽和度の増加速度を制御して、III族窒化物の結晶成長を行う事を特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。
IPC (6)：
C30B29/38 ,  C30B11/12 ,  H01L27/14 ,  H01L31/0264 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323
FI (6)：
C30B29/38 D ,  C30B11/12 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610 ,  H01L31/08 L ,  H01L27/14 K
F-Term (44)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077CC06 ,  4G077EA01 ,  4G077EA04 ,  4G077EA05 ,  4G077EC08 ,  4G077EH07 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077MB14 ,  4G077MB33 ,  4G077MB35 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118CA06 ,  4M118CB01 ,  4M118GA10 ,  5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA85 ,  5F041CB36 ,  5F041DA07 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11 ,  5F073AA02 ,  5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28 ,  5F088AB07 ,  5F088BA03 ,  5F088BA04 ,  5F088FA05 ,  5F088GA05 ,  5F088GA10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (5)
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