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J-GLOBAL ID:200903007465821175
シリコン膜の形成方法及び太陽電池の製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
岡田 和秀
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998195985
Publication number (International publication number):2000031066
Application date: Jul. 10, 1998
Publication date: Jan. 28, 2000
Summary:
【要約】【課題】不純物をドープしたpoly-Si膜やa-Si膜の形成に適したシリコン膜、ならびに太陽電池の製造方法の提供。【解決手段】一般式SinH2n+2或いはSinH2n(nは3≦n≦7の整数)で表される高次シランに、周期律表第3族または第5族に属する原子を含有する添加物を添加し、添加物含有高次シランを得る第1工程と、第1工程で得た添加物含有高次シランを、液体状態で基板上に塗布する第2工程と、第2工程で基板に塗布した添加物含有高次シランの分解反応により、周期律表第3族または第5族原子を含んだシリコン膜を形成する第3工程とを含むことで、不純物ドープしたSi膜を形成する。
Claim (excerpt):
以下の第1工程〜第3工程からなる、一般式SinH2n+2或いはSinH2n(nは3≦n≦7の整数)で表される高次シランを液体状で用いるシリコン膜の形成方法。第1工程高次シランに周期律表第3族または第5族に属する原子を含有する添加物を添加し、添加物含有高次シランを得る工程。第2工程第1工程で得た添加物含有高次シランを、基板上に塗布する工程。第3工程第2工程で基板に塗布した添加物含有高次シランの分解反応により、周期律表第3族または第5族原子を含んだシリコン膜を形成する工程。
IPC (3):
H01L 21/205
, C01B 33/02
, H01L 31/04
FI (4):
H01L 21/205
, C01B 33/02
, H01L 31/04 V
, H01L 31/04 X
F-Term (35):
4G072AA01
, 4G072AA02
, 4G072BB09
, 4G072BB12
, 4G072BB13
, 4G072FF01
, 4G072FF02
, 4G072FF04
, 4G072FF07
, 4G072GG03
, 4G072HH03
, 4G072JJ25
, 4G072JJ45
, 4G072LL11
, 4G072LL13
, 4G072MM01
, 4G072NN21
, 4G072RR01
, 4G072UU02
, 5F045AB03
, 5F045AB04
, 5F045AC01
, 5F045AC19
, 5F045AF03
, 5F045AF07
, 5F045CA13
, 5F045DA52
, 5F045EB20
, 5F051AA03
, 5F051AA05
, 5F051BA05
, 5F051CA06
, 5F051CA20
, 5F051DA04
, 5F051GA04
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