Pat

J-GLOBAL ID：200903007474164292

プラズマ源

Inventor： 根岸 敏夫 ,  樋口 克志 ,  高木 憲一 ,  深沢 博之
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993314157
Publication number (International publication number)：1995142198
Application date： Nov. 19, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】この発明の目的は、蒸発源を別個に設ける必要性がなく、プラズマの密度および安定性が高く、広くて安定した動作圧力の確保ができ、しかも、電力に対する効率がよく、ドーピング効率が向上し、高融点金属のドーピングが可能になるプラズマ源を提供することである。【構成】この発明のプラズマ源は、筒状のケーシングと、このケーシングの先端部の内側にこの内側と間隔を置くように取り付けられた内部がプラズマ室になった有底形状のプラズマセルと、このプラズマセルの外周に巻回された高周波コイルと、プラズマセルの底部背後に配置され、高周波コイルの軸線と平行な磁場を形成する永久磁石と、プラズマセルのプラズマ室側の底部に取り付けたスパツタターゲットとを備えたものである。

Claim (excerpt)：

筒状のケーシングと、このケーシングの先端部の内側にこの内側と間隔を置くように取り付けられた内部がプラズマ室になった有底形状のプラズマセルと、このプラズマセルの外周に巻回された高周波コイルと、プラズマセルの底部背後に配置され、高周波コイルの軸線と平行な磁場を形成する永久磁石と、プラズマセルのプラズマ室側の底部に取り付けたスパッタターゲットとを備えたプラズマ源。

IPC (7)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/48 ,  H01J 27/18 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/317 ,  H01L 21/265