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J-GLOBAL ID：200903007480738039

多重量子井戸半導体レーザ及びそれを用いた光通信システム

Inventor： 鬼頭 雅弘 ,  大塚 信之 ,  石野 正人 ,  松井 康
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994038232
Publication number (International publication number)：1994342959
Application date： Mar. 09, 1994
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 広帯域低歪特性有し、伝送劣化の無い多重量子井戸半導体レーザを高い歩留まりで提供する。【構成】 n型InP基板1上に組成波長1.05μmのn型InGaAsP光導波路層3、多重量子井戸活性層4、組成波長1.05μmのp型InGaAsP光導波路層5、p型InPクラッド層6から形成されるMQW-DFBレーザである。多重量子井戸活性層4は、5層以上10層以下の層厚4nmのInGaAsP歪井戸層10と層厚10nmの組成波長1.05μmのInGaAsP障壁層11からなる。この様な構成にすることにより、井戸層からの電子のオーバーフローを抑制できる。

Claim (excerpt)：

InP基板と該InP基板上に形成された多層構造とを備え、1.29μmから1.33μm迄の波長のレーザ光を放射する多重量子井戸半導体レーザであって、該多層構造は少なくとも多重量子井戸活性層を含んでおり、該多重量子井戸活性層は交互に積層されたInGaAsP井戸層及びInGaAsP障壁層を含んでおり、該InGaAsP障壁層は該InP基板に格子整合しており、しかも、該InGaAsP障壁層の組成波長は1.05μmに実質的に等しい、半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-049689
  
• 特開平3-034591
  
• 特開平2-130988
  
• 特開平4-234184