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J-GLOBAL ID：200903007500774410

複合多孔性センサーの作製方法

Inventor： 高尾 泰正 ,  淡野 正信 ,  山東 睦夫
Applicant, Patent owner： 工業技術院長
Agent (1)： 須藤 政彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998064271
Publication number (International publication number)：1999248663
Application date： Feb. 26, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ガスセンサー材料とガスとの反応性を増幅させるための触媒粒子を、ガスセンサー材料粒子の表面上に局所的に制御して分散させるとともに、気孔率の高い多孔性のガスセンサー素子を作製する方法を提供する。【解決手段】 第1にガスセンサー材料粒子と触媒粒子に対し、一方に正の静電気を、他方に負の静電気をそれぞれ荷電したのち、両者を静電気的に結合すること、第2に得られたガスセンサー材料粒子と触媒粒子の複合粒子を静電気的にセンサー基板上に堆積することを特徴とするガスセンサー素子の製造方法。【効果】 素子中でガスセンサー材料粒子の表面上に局所的に制御して触媒粒子を分散することができ、さらに粒子が数珠玉上に連なった状態で堆積した多孔性の厚膜構造が得られる。すなわち触媒粒子の分散状態と厚膜構造を同時に制御した素子を容易に作製することができ、この積層膜は、ガスセンサー素子として好適である。

Claim (excerpt)：

1μm以下の半導体ガスセンサー粒子の表面上に制御して、センサー機能を増幅する能力を有する100nm以下の金属粒子を分散させた半導体-金属複合粒子を、気孔率の高い多孔性の状態で堆積させることを特徴とする、半導体ガスセンサー素子の製造方法。

IPC (3)：

G01N 27/12 ,  C01G 19/00 ,  C23C 24/00

FI (4)：

G01N 27/12 M ,  G01N 27/12 B ,  C01G 19/00 A ,  C23C 24/00