真空処理装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997301005
Publication number (International publication number)：1999135432
Application date： Oct. 31, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】整流ノズルの温度上昇を防止するとともにウェハ温度の均一化を図ることを課題とする。【解決手段】処理室11と、この処理室11内に配置され、内部にヒータ12を備えるとともに上部にウェハ14を配置するワーク受け台13と、前記処理室11内に前記ウェハ14と向き合うように配置され、前記ウェハ主面に反応ガスを供給する機能を有したガス整流ノズル15とを具備し、前記ガス整流ノズル15のウェハ14と対向する面に光学的な反射層17を有することを特徴とする真空処理装置。

Claim (excerpt)：

処理室と、この処理室内に配置され、内部に加熱機構を備えるとともに上部にウェハを配置するワーク受け台と、前記処理室内に前記ウェハと向き合うように配置され、前記ウェハ主面に反応ガスを供給する機能を有したガス整流ノズルとを具備し、前記ガス整流ノズルの前記ウェハと対向する面に少なくとも光学的な反射層を有することを特徴とする真空処理装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

プラズマCVD装置のクリーニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-289931 Applicant：日本真空技術株式会社
原料またはガスの供給装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-301013 Applicant：富士通株式会社
シャワーヘッド式CVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-020820 Applicant：日本酸素株式会社

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