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J-GLOBAL ID：200903007507456189

バンプの形成方法

Inventor： 野田 和宏
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996144060
Publication number (International publication number)：1997326550
Application date： Jun. 06, 1996
Publication date： Dec. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】 ワークのパッドの表面の酸化膜を除去し、パッド上にバンプを簡単に形成できるバンプの形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 ワーク1のパッド2が空気に接触することにより生じた酸化膜2’をプラズマエッチングにより除去した後、ワーク1の上面に金属膜6を形成し、さらに金属膜6上のパッド2よりも広いエリアに半田部7を形成する。次にワーク1をリフロー炉で加熱する。すると半田部7は溶融し、その表面張力によりパッド2上に球形のバンプ7’が生じるが、このとき半田部7に接触する金属膜6は溶融した半田の内部に溶け込み、半田と金属膜6の金属の合金であるバンプ7’が形成される。またバンプ7’とワーク1上面の金属膜6との間にはカット部分8が生じ、バンプ7’がワーク1上の金属膜6と導通することはない。

Claim (excerpt)：

ワークのパッド上に生じた酸化膜を真空中のプラズマエッチングにより除去する工程と、このワークの上面に金属膜を形成する工程と、金属膜上のパッドよりも広いエリアに半田部を形成する工程と、この半田部を加熱して溶融させることにより、半田部に接触する金属膜を溶解させて、この金属膜から切り離されるカット部分を生じさせながら、溶融した半田の表面張力により金属膜の金属と半田の合金から成るバンプを生じさせる工程と、を含むことを特徴とするバンプの形成方法。

IPC (4)：

H05K 3/34 501 ,  B23K 1/20 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/321

FI (5)：

H05K 3/34 501 D ,  B23K 1/20 H ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/92 604 Q ,  H01L 21/92 604 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-173740
  
• 特開昭63-228738
  
• 特開平3-174972