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J-GLOBAL ID：200903007510160460

薄膜形成方法

Inventor： イ チュンス ,  ガン ウォング ,  イ ギュホン ,  イ キョンス
Applicant, Patent owner： ゼニテックインコーポレイテッド
Agent (1)： 高田 守 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000612991
Publication number (International publication number)：2003521579
Application date： Apr. 06, 2000
Publication date： Jul. 15, 2003
Summary：

【要約】本発明は、半導体素子または平板表示素子用の薄膜を成膜する方法を提供する。反応ガスの間の気相反応を防止するように各反応ガス及びパージガスを周期的に供給する化学蒸着法を通じて、ガス供給サイクルと同期して基板上にプラズマを生成することによって、低温で薄膜を形成することができ、排気時の粒子発生を低減することができる。

Claim (excerpt)：

時分割に組合されたガス供給サイクルを繰り返してプロセスガスを炉内に供給する化学蒸着を通じて、基板上に薄膜を形成する方法であって、 前記プロセスガスは熱分解下では成膜し、工程温度では熱分解しない蒸着ガスと、工程温度では自ら熱分解しないか或いは自己熱分解しても成膜しない反応ガスと、前記蒸着ガスと前記反応ガスとの間の化学反応を防止するパージガスとを含み、 前記プロセスガスの少なくとも一つの供給サイクルと同期してプラズマが前記基板上に生成される薄膜形成方法。

IPC (2)：

C23C 16/455 ,  H01L 21/205

FI (2)：

C23C 16/455 ,  H01L 21/205

F-Term (18)：

4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030DA09 ,  4K030FA03 ,  4K030FA10 ,  4K030LA18 ,  5F045AA08 ,  5F045AB40 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EE19 ,  5F045EF05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特公平5-024231
  
• 炭化ケイ素薄膜および炭化ケイ素薄膜積層基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-229678   Applicant：ホーヤ株式会社
• 特開平1-179710
  
• 特開平4-361531