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J-GLOBAL ID：200903007529826419

窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法

Inventor： 岩佐 成人 ,  長浜 慎一
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992143555
Publication number (International publication number)：1993315646
Application date： May. 09, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 サファイアを基板とする窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーをチップ状にカットするに際し、切断面のクラック、チッピングの発生を防止し、窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性を損なうことなく、その上、歩留良く所望の形、サイズに切断する方法を提供する。【構成】 窒化ガリウム系化合物半導体層の上からダイサーにより窒化ガリウム系化合物半導体層の厚さよりも深く溝を切り込むダイシング工程と、サファイア基板の厚さを研磨により薄くする研磨工程と、ダイシング工程で形成された溝の上からスクライバーによりスクライブラインを入れるスクライブ工程と、スクライブ工程の後、ウエハーをチップ状に分離する分離工程よりなる。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層されたウエハーをチップ状に切断する方法において、窒化ガリウム系化合物半導体層の上からダイサーにより窒化ガリウム系化合物半導体層の厚さよりも深く溝を切り込むダイシング工程と、サファイア基板の厚さを研磨により薄くする研磨工程と、ダイシング工程で形成された溝の上からスクライバーによりサファイア基板にスクライブラインを入れるスクライブ工程と、スクライブ工程の後、ウエハーをチップ状に分離する分離工程よりなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/78 ,  H01L 21/86