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J-GLOBAL ID：200903007533234917

マイクロエレクトロメカニカル的に同調可能な共焦型の垂直キャビティ表面放出レーザ及びファブリー・ペローフィルタ

Inventor： タエバティ,パーヴィズ ,  アズィミ,マスド ,  ウォン,ペイドン ,  ヴァクショーリ,ダリョーシュ
Applicant, Patent owner： コアテック・インコーポレーテッド
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000527004
Publication number (International publication number)：2002500446
Application date： Dec. 28, 1998
Publication date： Jan. 08, 2002
Summary：

【要約】マイクロエレクトロメカニカル的に同調可能な垂直キャビティ表面放出レーザ及びマイクロエレクトロメカニカル的に同調可能なファブリー・ペローフィルタを横方向及び垂直方向寸法を正確に制御して製造する方法が提供される。歪みを加えた反射型の誘電性膜が多数量子井戸構造体に付与されて、その量子井戸を電子的にバンドギャップエンジニアリング加工する。また、垂直キャビティ表面放出レーザ又はフィルタにおける平坦で反射型の誘電性薄膜と湾曲した反射型の誘電性薄膜との間に共焦キャビティを形成し得るように反射型誘電性膜の積み重ね体の1つに適当な曲率を形成すべく反射型誘電性膜層内に適当な歪みが使用される。また、金属支持ポストにより外周にて固着される間に、キャビティ同調可能な反射型の誘電性膜積み重ね体を支持する、誘電材料/金属メンブレン又は膜で出来た懸架メンブレン構造体を有するマイクロエレクトロメカニカル的に同調可能な垂直キャビティ表面放出レーザ及びフィルタ構造体も提供される。マイクロ機械加工した犠牲ポリイミド又はアルミニウムディスクを使用して、マイクロダイキャスティングすることにより空気キャビティの長さ及び横方向寸法が正確に設定される。更に、制御された静電界中をキャビティ同調可能な反射型誘電性膜積み重ね体が並進動作することにより同調が為される。

Claim (excerpt)：

予め成長させた結晶半導体材料の量子井戸内に予め選択した量及び型式の歪みを導入する方法において、 前記結晶半導体材料で形成され、上面を有し且つ多数の量子井戸を画成する部材を提供するステップと、 少なくとも1つの薄膜層を前記部材の前記上面の上に蒸着して、前記少なくとも1つの薄膜層が予め選択した量及び型式の歪みを保持し、前記少なくとも1つの薄膜内の前記歪みの型式が前記部材内に導入することを望む型式のものと反対の型式であるようにするステップとを備える、方法。

IPC (3)：

H01S 5/183 ,  G01J 3/26 ,  H01L 29/06

FI (3)：

H01S 5/183 ,  G01J 3/26 ,  H01L 29/06

F-Term (13)：

2G020CA12 ,  2G020CB06 ,  2G020CB23 ,  2G020CC23 ,  2G020CC26 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073AB28 ,  5F073CA12 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA35