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J-GLOBAL ID：200903007540690200

反射防止膜材料およびパターン形成方法

Inventor： 畠山 潤 ,  金生 剛 ,  長谷川 幸士 ,  渡辺 武 ,  久保田 透 ,  清森 歩
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 山本 亮一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000300650
Publication number (International publication number)：2002107938
Application date： Sep. 29, 2000
Publication date： Apr. 10, 2002
Summary：

【要約】【課題】レジストに対してエッチング選択比が高い、即ち、エッチングスピードが速い反射防止膜材料及び、この反射防止膜材料を用いて基板上に反射防止膜層を形成するパターン形成方法。【解決手段】下記一般式(1)または(2)で表される置換基を有する化合物を含有することを特徴とする反射防止膜材料。【化1】【化2】[ここで、R1は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状または環状のアルキレン基、R2〜R10は水素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状または環状のフッ素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数6〜20のアリール基または炭素数1〜6のトリアルキルシリル基である。mは0≦m≦10、nは0≦n≦10、oは0≦o≦10、1≦(m+n+o)≦10である]

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)または(2)で表される置換基を有する化合物を含有することを特徴とする反射防止膜材料。【化1】【化2】[ここで、R1は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状または環状のアルキレン基、R2〜R10は水素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状または環状のフッ素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数6〜20のアリール基または炭素数1〜6のトリアルキルシリル基である。mは0≦m≦10、nは0≦n≦10、oは0≦o≦10、1≦(m+n+o)≦10である]

IPC (18)：

G03F 7/11 503 ,  C07F 7/08 ,  C07F 7/21 ,  C08F 30/08 ,  C08K 5/00 ,  C08L 1/08 ,  C08L 3/14 ,  C08L 5/00 ,  C08L 43/04 ,  C08L 63/00 ,  C09K 3/00 ,  G02B 1/04 ,  G02B 1/11 ,  G03F 7/004 506 ,  G03F 7/075 501 ,  G03F 7/075 521 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (18)：

G03F 7/11 503 ,  C07F 7/08 W ,  C07F 7/21 ,  C08F 30/08 ,  C08K 5/00 ,  C08L 1/08 ,  C08L 3/14 ,  C08L 5/00 ,  C08L 43/04 ,  C08L 63/00 Z ,  C09K 3/00 U ,  G02B 1/04 ,  G03F 7/004 506 ,  G03F 7/075 501 ,  G03F 7/075 521 ,  G03F 7/40 521 ,  G02B 1/10 A ,  H01L 21/30 574

F-Term (62)：

2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025CC03 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025DA34 ,  2H025EA10 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096AA30 ,  2H096CA06 ,  2H096HA23 ,  2H096LA30 ,  2K009AA04 ,  2K009BB04 ,  2K009CC42 ,  2K009DD02 ,  4H049VN01 ,  4H049VP05 ,  4H049VQ30 ,  4H049VQ76 ,  4H049VQ84 ,  4H049VR22 ,  4H049VR23 ,  4H049VS02 ,  4H049VS28 ,  4H049VU20 ,  4J002AB001 ,  4J002BQ001 ,  4J002CD012 ,  4J002CD142 ,  4J002EB117 ,  4J002ED026 ,  4J002ET016 ,  4J002EU027 ,  4J002EU106 ,  4J002EU186 ,  4J002EV217 ,  4J002EV247 ,  4J002EV257 ,  4J002EV297 ,  4J002FD142 ,  4J002FD146 ,  4J002FD157 ,  4J002GH01 ,  4J100AB07P ,  4J100AE09P ,  4J100AL08P ,  4J100AL39P ,  4J100AM21P ,  4J100AM47P ,  4J100AN04P ,  4J100AR11P ,  4J100BA15P ,  4J100BA34P ,  4J100BA80P ,  4J100CA01 ,  4J100JA01 ,  5F046PA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ポリシランおよびパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-336655   Applicant：株式会社東芝
• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-110654   Applicant：株式会社東芝
• パタ-ントランスファ組成物及びパタ-ントランスファ方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-372465   Applicant：株式会社東芝