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J-GLOBAL ID：200903007541323457

抵抗変化型メモリ

Inventor： 田中 英行 ,  森本 廉
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (3)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003059927
Publication number (International publication number)：2004273615
Application date： Mar. 06, 2003
Publication date： Sep. 30, 2004
Summary：

【課題】各種電気機器に使用される抵抗変化型メモリにおいて、低消費電力化を目的とする。【解決手段】電極12の間の絶縁性溶媒に導電性DNA分子を封入する。電極12の間に時間的に振幅が変化する電界を印加することにより、絶縁性溶媒中のDNA分子の形態(伸張構造と折りたたみ構造)を制御する。伸張構造では電極12の間がDNA分子によって結線され低抵抗化し、折りたたみ構造では電極12の間がDNA分子で結線できず高抵抗化する。DNA分子の太さは2nm程度とたいへん微細であるため、電極12の間の電流値は小さく低消費電力な抵抗変化型メモリが得られる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

導電性を有する線状の高分子と、絶縁性の溶媒とを有し、当該溶媒中に当該線状高分子を浮遊させ、かつ当該高分子に電界を印加する電極を設けた抵抗変化型メモリ。

IPC (2)：

H01L27/10 ,  G11C13/00

FI (2)：

H01L27/10 451 ,  G11C13/00 A

F-Term (5)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083PR03 ,  5F083PR22