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J-GLOBAL ID：200903007557175121

パワー用半導体装置の製造方法

Inventor：
福山 淳

About 福山 淳


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994122587
Publication number (International publication number)：1995335677
Application date： Jun. 03, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：
【要約】【目的】 パワー用半導体装置の放熱性を損なわず、外観視に優れ、水分進入等の問題の生じ難い半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 一対の金型の合わせ面に空所を形成し、この空所にリードフレームのアイランドを浮かせた状態で配置した後、前記空所に熱硬化性樹脂を注入して、前記アイランドおよびこの一方面に実装した半導体素子を含み樹脂封止する半導体装置の製造方法であって、前記アイランドの他方面と当該他方面と対向する一方の金型の面とでなす間隙が、前記アイランドの一方面と当該一方面と対向する他方の金型の面とでなす間隙より小さい2.0ないし0.3mmに設定するとともに、前記一方の金型の面が最大表面粗さHmax3ないし10μmの範囲の梨地仕上げとすることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
一対の金型の合わせ面に空所を形成し、この空所にリードフレームのアイランドを浮かせた状態で配置した後、前記空所に熱硬化性樹脂を注入して、前記アイランドおよびこの一方面に実装した半導体素子を含み樹脂封止する半導体装置の製造方法であって、前記アイランドの他方面と当該他方面と対向する一方の金型の面とでなす間隙が、前記アイランドの一方面と当該一方面と対向する他方の金型の面とでなす間隙より小さい2.0ないし0.3mmに設定するとともに、前記一方の金型の面が最大表面粗さHmax3ないし10μmの範囲の梨地仕上げとすることを特徴とするパワー用半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/56 ,  B29C 33/30 ,  B29C 33/42
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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