半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北野好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994228403
Publication number (International publication number)：1996097378
Application date： Sep. 22, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】ウェルの横方向拡散が小さく、ウェル内にあるウェルに形成したトランジスタのソース/ドレイン拡散層と外のウェルとのパンチスルーが防止でき、しかも製造工程数が増加しない半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】第1の導電型の半導体基板10と、半導体基板10の主表面の第1の領域に形成された、第2の導電型の第1のウェル20a、20bと、半導体基板10の主表面の、第1の領域とは異なる第2の領域に形成された、第1の導電型の第2のウェル22aと、第1のウェル内に形成された、第1の導電型の第3のウェル22bと、第3のウェル領域に形成され、且つ素子領域の半導体基板表面から離間した半導体基板内部に形成された、第1の導電型の高濃度不純物層26とを有する。

Claim (excerpt)：

第1の導電型の半導体基板と、前記半導体基板の主表面の第1の領域に形成された、第2の導電型の第1のウェルと、前記半導体基板の主表面の、前記第1の領域とは異なる第2の領域に形成された、前記第1の導電型の第2のウェルと、前記第1のウェル内に形成された、前記第1の導電型の第3のウェルと、前記第3のウェル領域に形成され、且つ素子領域の前記半導体基板表面から離間した前記半導体基板内部に形成された、前記第1の導電型の高濃度不純物層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/08 331 , H01L 21/265

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

不揮発性半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-204354 Applicant：三星電子株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-087330 Applicant：三菱電機株式会社
特開昭61-237422

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