Pat
J-GLOBAL ID：200903007566184087
炭素クラスタ-の高純度単結晶成長法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 弘男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992088197
Publication number (International publication number)：1993254989
Application date： Mar. 12, 1992
Publication date： Oct. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】 炭素クラスタ-の高純度の大型単結晶を得る。【構成】 反応管1の一部を蒸発領域Aと定め、該蒸発領域Aに炭素クラスター原料2を高真空で封入し、該蒸発領域Aと離れて結晶成長領域Bを定め、前記蒸発領域Aを前記結晶成長領域Bより高温で加熱して炭素クラスター原料2を蒸発させるとともに、前記結晶成長領域Bをほぼ一定時間ごとにほぼ一定温度だけ繰り返して昇温させるようにした。
Claim (excerpt)：
反応管の一部を蒸発領域と定め、該蒸発領域に炭素クラスター原料を高真空で封入し、該蒸発領域と離れて結晶成長領域を定め、前記蒸発領域を前記結晶成長領域より高温で加熱して炭素クラスター原料を蒸発させるとともに、前記結晶成長領域をほぼ一定時間ごとにほぼ一定温度だけ繰り返して昇温させることを特徴とする炭素クラスターの高純度単結晶成長法。
IPC (3)：
C30B 29/02
, C01B 31/02 101
, C30B 23/00
