Pat

J-GLOBAL ID：200903007568456696

パターン形成方法

Inventor： 竹元 一成 ,  杉山 寿 ,  高原 洋一 ,  天辰 篤志 ,  平岩 知子 ,  池田 宏
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992046674
Publication number (International publication number)：1993249687
Application date： Mar. 04, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】高段差基板上の薄膜をイオンミリング等の物理エッチングで高精度にエッチングする。【構成】感光性のプラズマ重合ポリシラン単独あるいはこれと炭素膜の積層膜を用いて、被加工薄膜をパタ-ン化する。【効果】プラズマ重合ポリシランは感度が高く、かつ、段差被覆性が優れているため、レジストの厚さを段差凹部で薄くできるので、レジストのパタ-ン精度向上およびイオンミリング時の再付着防止が可能で、被加工薄膜のパタ-ン寸法精度を向上する効果がある。

Claim (excerpt)：

被加工面内に大きな高低差をもつ基板にレジストパターンを形成し、物理スパッタ法を主とする乾式エッチング方法によってレジストのない部分の被加工材料を除去してパターンを形成する方法において、前記レジストがプラズマ重合によって形成された化1あるいは化2で表される繰返し単位からなりポリシランであり、前記被加工面内の前記レジストの膜厚を均一化したことを特徴とするパターン形成方法。【化1】ただし、R1とR2はフルオロ基、パ-フルオロアルキル基、フェニル基、パ-フルオロフェニル基、パ-フルオロアルキル置換フェニル基から選ばれた異なる基を表す。【化2】ただし、R3はパ-フルオロアルキル基またはパ-フルオロアルキル置換フェニル基を表す。

IPC (6)：

G03F 7/11 502 ,  C08J 7/00 306 ,  C08J 7/00 307 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/302