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J-GLOBAL ID：200903007588652890

薄膜デバイス及び薄膜デバイスの製造方法

Inventor： 木村 忠司 ,  村岸 勇夫 ,  関口 大好 ,  坂口 昌也 ,  辻 弘恭 ,  三谷 覚
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000137010
Publication number (International publication number)：2001028442
Application date： May. 10, 2000
Publication date： Jan. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】 薄膜デバイス及び薄膜デバイスの製造方法において、ドライエッチング法を用いた、下地膜をエッチングしない高選択の導体層のパターニングが行える薄膜デバイス及び薄膜デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 パターニングされる導電層又は導体層下層として、酸素を含むガスでドライエッチング可能な導体層を備え、酸素を含むプラズマで下地膜と高選択にドライエッチングする。

Claim (excerpt)：

薄膜デバイスにおける電気配線となる導体層を、酸素を含むガスでドライエッチング可能な導体層としたことを特徴とする薄膜デバイス。

IPC (9)：

H01L 29/786 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/06 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 29/78 ,  H01L 43/08

FI (10)：

H01L 29/78 617 J ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/06 ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 43/08 D ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 617 M